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IRFR3607TRPBF
产品型号IRFR3607TRPBF
品牌Infineon
封装TO-252
价格电询
描述N沟道场效应管(MOSFET)56A75V
查看资料IRFR3607TRPBF

产品说明



商品目录 场效应管(MOSFET)


类型 N沟道


漏源电压(Vdss) 75V


连续漏极电流(Id) 56A


功率(Pd) 140W


导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,46A


阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@100uA


栅极电荷(Qg@Vgs) 84nC@10V


输入电容(Ciss@Vds) 3.07nF@50V


工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)


查看类似商品FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物


FET 功能:标准


漏源极电压(Vdss):75V


电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc)


不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 46A,10V


不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA


不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V


不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3070pF @ 50V


功率 - 最大值:140W


工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)


安装类型:表面贴装


封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63


供应商器件封装:D-Pak





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