IRFR3607TRPBF Infineon N沟道场效应管(MOSFET)56A75V

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IRFR3607TRPBF

产品型号	IRFR3607TRPBF
品牌	Infineon
封装	TO-252
价格	电询
描述	N沟道场效应管(MOSFET)56A75V
查看资料	IRFR3607TRPBF
购买IRFR3607TRPBF

产品说明

商品目录场效应管(MOSFET)

类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流(Id) 56A

功率(Pd) 140W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,46A

阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@100uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 84nC@10V

输入电容(Ciss@Vds) 3.07nF@50V

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

查看类似商品FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 46A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：84nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3070pF @ 50V

功率 - 最大值：140W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
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