第五代HEXFETs利用 先进的加工技术实现极低 每硅面积的导通电阻。这一优势与 快速开关速度和加固型器件设计 众所周知，HEXFET功率MOSFETs提供 设计者拥有极其高效可靠的设备 用于各种各样的应用。 D-Pak设计用于使用蒸汽的表面安装 相位、红外线或波峰焊接技术。直道 铅版(IRFU系列)用于通孔安装 应用程序。高达1.5瓦的功耗水平为 在典型的表面贴装应用中是可能的。

属性 参数值

商品目录 场效应管(MOSFET)

类型 1个P沟道

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流(Id) 31A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@16A,10V

功率(Pd) 110W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 63nC@10V

输入电容(Ciss@Vds) 1.2nF@25V

反向传输电容(Crss@Vds) -

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)