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| 型号 RN8209C | | 型号 RN8209E | | 型号 LHE20-20C0515-03 | | 型号 CT8233LF | | 型号 YTE608 | | 型号 IRG4PH50UDPBF | | 型号 SN74LVC4245APWR | | 型号 NCEP0135AK |
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产品型号 | IRFR5305TR | 品牌 | IR | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | 查看资料 | IRFR5305TR | |
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产品说明
第五代HEXFETs利用 先进的加工技术实现极低 每硅面积的导通电阻。这一优势与 快速开关速度和加固型器件设计 众所周知,HEXFET功率MOSFETs提供 设计者拥有极其高效可靠的设备 用于各种各样的应用。 D-Pak设计用于使用蒸汽的表面安装 相位、红外线或波峰焊接技术。直道 铅版(IRFU系列)用于通孔安装 应用程序。高达1.5瓦的功耗水平为 在典型的表面贴装应用中是可能的。
属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 31A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@16A,10V
功率(Pd) 110W
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 63nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 1.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) -
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V | | | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | |
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