商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 2.1A
功率(Pd) 1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@4.5V,2.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250μA
查看类似商品FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 25V
功率 - 最大值：1.25W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
粤公网安备 44030402002388号