SVF12N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点

∗ 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.68Ω@VGS=10V

∗ 低栅极电荷量

∗ 低反向传输电容

∗ 开关速度快

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TO-220F-3L TO-220-3L

∗ 提升了 dv/dt 能力