2SK3878参数：9A,900V,N沟道场效应管
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
Id-连续漏极电流: 9 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 50