TK39N60W5 TOSHIBA N沟道场效应管MOS管39A600V

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TK39N60W5

产品型号	TK39N60W5
品牌	TOSHIBA
封装	TO-247
价格	电询
描述	N沟道场效应管MOS管39A600V
查看资料	TK39N60W5
购买TK39N60W5

产品说明

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 38.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 62 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 135 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 270 W

通道模式: Enhancement

商标名: DTMOSIV

系列: TK39N60W5

封装: Tube

商标: Toshiba

配置: Single

下降时间: 9 ns

高度: 20.95 mm

长度: 15.94 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 120 ns

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