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| 产品型号 | IRF9Z34NPBF | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 19A55V P沟道场效应管 | | 查看资料 | IRF9Z34NPBF | |
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产品说明
采用TO-220封装的-55V单P沟道功率MOSFET
IR MOSFET功率MOSFET系列利用成熟的硅工艺为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，例如直流电动机，逆变器，SMPS，照明，负载开关以及电池供电的应用。 具有行业标准尺寸的表面贴装和通孔封装，易于设计。
特征描述
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化，适用于低于100kHz的开关
行业标准的通孔电源封装
大电流额定值
优势
坚固耐用
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质
低频应用中的高性能
标准管脚允许直接更换
高电流能力
Parametrics IRF9Z34N
ID (@25°C) max -19.0 A
Mounting THT
Ptot max 56.0 W
Package TO-220
Polarity P
QG (typ @10V) 23.3 nC
Qgd 10.7 nC
RDS (on) (@10V) max 100.0 mΩ
RthJC max 2.7 K/W
Tj max 175.0 °C
VDS max -55.0 V
VGS(th) min max -3.0 V -2.0 V -4.0 V
VGS max 20.0 V
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类似IRF9Z34NPBF产品
| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
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粤公网安备 44030402002388号