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| 型号 IRF540NPBF | | 型号 HW128V-5.0-3P-T | | 型号 LED双孔座5mm | | 型号 470UF35V贴片铝电解电容 | | 型号 2200UF50V电解电容 | | 型号 LHE10-20D0512-02ER2 | | 型号 LHE10-20D0524-02ER2 | | 型号 LHE10-20D0512-02ER2A2 |
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产品说明
产品种类: 门驱动器 RoHS: 详细信息 产品: Half-Bridge Drivers 类型: High Side, Low Side 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 Output 输出电流: 130 mA 上升时间: 100 ns 下降时间: 50 ns 电源电压-最小: 10 V 电源电压-最大: 20 V 传播延迟—最大值: 820 ns 工作电源电流: 150 uA Pd-功率耗散: 625 mW 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 特点: Synchronous 高度: 1.5 mm 长度: 5 mm 输出电压: 10 V to 20 V 技术: Si 宽度: 4 mm 逻辑类型: CMOS, TTL 关闭: Yes 最大关闭延迟时间: 150 ns 最大开启延迟时间: 680 ns 湿度敏感性: Yes 产品类型: Gate Drivers
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类似IR2104STRPBF产品
下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V | | | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | |
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