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产品型号 | IRLB3034 | 品牌 | IR | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管343A40V | 查看资料 | IRLB3034 | |
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产品说明
产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 343 A Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 108 nC 最大工作温度: + 175 C 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 355 ns 正向跨导 - 最小值: 286 S 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 375 W 上升时间: 827 ns 工厂包装数量: 50 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 97 ns 典型接通延迟时间: 65 ns 单位重量: 6 g
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V |  |  |  | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V |  |  |  | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 |  |  |  | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W |  |  |  | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 |  |  |  | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 |  |  |  | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W |  |  |  | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V |  |  |  | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 |  |  |  | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC |  |  |  | |
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