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 | 型号 DSEI2x101-12A |  | 型号 DSEI2X101-12A |  | 型号 4N35 |  | 型号 EL4N35 |  | 型号 HA17555 |  | 型号 HA17324A |  | 型号 LM3914N-1 |  | 型号 SVF10N65F |
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产品型号 | IRF9640 | 品牌 | VISHAY | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管-200V,500mO,-11A,125W | 查看资料 | IRF9640 | |
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产品说明
特征
•动态dV / dt额定值
•重复雪崩等级
•P通道
•快速切换
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅(Pb)
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供了
具有快速切换的最佳组合的设计师,
坚固的设备设计,低导通电阻和
成本效益。
TO-220封装普遍适用于所有
工商业应用中的功耗
最高可达到50W。低热阻
TO-220的低包装成本为其广泛的应用做出了贡献
整个行业的认可度。
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V |  |  |  | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V |  |  |  | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 |  |  |  | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W |  |  |  | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 |  |  |  | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 |  |  |  | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W |  |  |  | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V |  |  |  | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 |  |  |  | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC |  |  |  | |
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