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产品型号 | IRF540N | 品牌 | IR/Infineon | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | 查看资料 | IRF540N | |
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产品说明
IRF540N参数:100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 产品种类: MOSFET 制造商: IR RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 33 A Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 47.3 nC 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 高度: 15.65 mm 长度: 10 mm Pd-功率耗散: 140 W 工厂包装数量: 1200 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.4 mm 单位重量: 6 g
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W |  |  |  | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V |  |  |  | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V |  |  |  | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V |  |  |  | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V |  |  |  | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W |  |  |  | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V |  |  |  | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W |  |  |  | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 |  |  |  | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 |  |  |  | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W |  |  |  | | IRFPC60LCPBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W |  |  |  | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W |  |  |  | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 |  |  |  | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 |  |  |  | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W |  |  |  | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 |  |  |  | | I2130SYIR | NUVOTON(新唐) | SOP14 | 嵌入式闪存的独立音频播放芯片集成电路 |  |  |  | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | |
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