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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: IR RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 33 A Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V Qg-栅极电荷: 47.3 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 封装: Reel 通道模式: Enhancement 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 35 ns 正向跨导 - 最小值: 21 S 高度: 4.4 mm 长度: 10 mm Pd-功率耗散: 3.8 W 上升时间: 35 ns 工厂包装数量: 800 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: HEXFET Power MOSFET 典型关闭延迟时间: 39 ns 典型接通延迟时间: 11 ns 宽度: 9.25 mm 单位重量: 4 g
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
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