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 | 型号
DSEI2x101-12A |  | 型号
DSEI2X101-12A |  | 型号
4N35 |  | 型号
EL4N35 |  | 型号
HA17555 |  | 型号
HA17324A |  | 型号
LM3914N-1 |  | 型号
SVF10N65F |
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产品说明
描述
IR2103（S）是高压，高速电源MOSFET和IGBT驱动器具有相关的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁定免疫CMOS技术实现坚固耐用整体建筑。逻辑输入是兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器功能很高
IR2103
脉冲电流缓冲级设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600伏。
特征
浮动通道设计用于引导操作完全可以工作到+ 600V容忍负瞬态电压dV / dt免疫
栅极驱动电源范围为10至20V
欠压锁定
3.3V，5V和15V逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
两个通道的匹配传播延迟
内部设定死区时间
高端输出与HIN输入同相
低输出与LIN输入异相
引脚SOIC8
IR2103S 8引脚PDIP
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类似IR2103STRPBF产品
| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V | | | | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 | | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W | | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | |
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