F9540N IR P沟道场效应管23A100V

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F9540N

产品型号	F9540N
品牌	IR
封装	TO-220
价格	电询
描述	P沟道场效应管23A100V
查看资料	F9540N
购买F9540N

产品说明

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 64.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 140 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 1000

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