FQPF8N60C参数：8A,600V,N沟道场效应管
N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性
7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC)
低 Crss（典型值12pF)
100% 经过雪崩击穿测试
100% avalanche tested
应用
LCD 电视
LED 电视
照明
台式计算机
AC-DC商用电源-台式计算机
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 64.5 ns
正向跨导 - 最小值: 8.7 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 60.5 ns
系列: FQPF8N60C
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 81 ns
零件号别名: FQPF8N60C_NL
单位重量: 2.270 g