FQA11N90C参数:900V,1100mO,11A,300W
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 11 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 85 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 130 ns
系列: FQA11N90
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 6.401 g