产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 41 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
系列: FQPF33N10
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 20 S
下降时间: 110 ns
NumOfPackaging: 1
上升时间: 195 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: FQPF33N10_NL
单位重量: 2.270 g