SVF12N60F参数：12A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF12N60F/S/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点
12A，600V， RDS(on)（典型值）=0.58 VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装
SVF12N60F TO-220F-3L SVF12N60F 无铅 料管
SVF12N60S TO-263-2L SVF12N60S 无卤 料管
SVF12N60STR TO-263-2L SVF12N60S 无卤 编带
SVF12N60K TO-262-3L SVF12N60K 无铅 料管