SVF10N80F Silan士兰 N沟道场效应管10A800V

你好，欢迎您咨询订购！	联系电话☎：0755-88601081

热门搜索:SS6285M-SO-TP| YX-2530AM| SA8338| B0505LS-1WR3| SMBJ33A-E3/52|

首页 > Silan士兰微NCE新洁能 > SVF10N80F

公司联系方式
销售电话	0755-88601081
手机热线	13480836474
传真	0755-88601081
联系QQ	(592755649)
淘宝联系
联系QQ	(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

	型号 SS6285M-SO-TP
	型号 YX-2530AM
	型号 SA8338
	型号 B0505LS-1WR3
	型号 SMBJ33A-E3/52
	型号 SMBJ24A-E3/52
	型号 IRF540NPBF
	型号 HW128V-5.0-3P-T

SVF10N80F

产品型号	SVF10N80F
品牌	Silan士兰
封装	TO-220F
价格	电询
描述	N沟道场效应管10A800V
查看资料	SVF10N80F
购买SVF10N80F

产品说明

SVF10N60F参数：10A,800V,N沟道场效应管
描述
N 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采
用士兰微电子F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H 桥PWM马达驱动。
特点
10A，800V，R DS(on)(典型值)=1.0 Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力

类似SVF10N80F产品

下一页尾页页码：1/10
产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
SVF18N65F	Silan士兰	TO-220F	18A 650V增强型N沟道场效应管

SVF9N90F	Silan	TO-220F-3L	N沟道平面高压MOS 9A900V

SVF9N90FN	Silan	TO-3P	N沟道场效应管9A900V

SVM1060XB	PANJIT强茂	TO-277B	低VF肖特基整流器电压60v 电流10A

SVM1060X	PANJIT强茂	TO-277	低VF肖特基整流器60V10A490MV

SVF10N80F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管10A800V

SVF10N65T	Silan士兰	TO-220	N沟道场效应管10A650V

SVF7N80F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管7A800V

SVF10N65F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管10A650V

SVF12N60F	Silan士兰	TO-220F	N沟道12A600V场效应管

SVF8N60CF	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管8A600V

SVF14N65CFJ	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管14A650V

SVD1055SA	Silan	SOP-8	N➕P沟道平面低压MOS

SVD9Z24NT	Silan	TO-220-3L	N沟道平面低压MOS

SVDP2353PL3A	Silan	PDFN3*3	P沟道平面低压MOS

SVF14N25CD	Silan	TO-252-2L	N沟道平面低压MOS

SVF6N25CD	Silan	TO-252-2L	N沟道平面低压MOS

SVD640T	Silan	TO-220-3L	N沟道平面低压MOS

SVD540D	Silan	TO-252-2L	N沟道平面低压MOS

SVD540T	Silan	TO-220-3L	N沟道平面低压MOS

元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

关于我们 - 产品目录 - 产品资料 - 联络方式 - 工作机会 - 友情链接 - 法律声明

深圳市通络科技电子有限公司版权所有◎Copyright 2020
地址：广东省深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座14L室

电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@icdemi.com，

粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002388号