产品种类: MOSFET
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 39 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
Pd-功率耗散: 650 W
上升时间: 25 ns
系列: IXFH36N60
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.3 mm
单位重量: 6.500 g