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| 型号 SS6285M-SO-TP | | 型号 YX-2530AM | | 型号 SA8338 | | 型号 B0505LS-1WR3 | | 型号 SMBJ33A-E3/52 | | 型号 SMBJ24A-E3/52 | | 型号 IRF540NPBF | | 型号 HW128V-5.0-3P-T |
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产品型号 | IXFB100N50P | 品牌 | IXYS | 封装 | TO-247-3 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | IXFB100N50P | |
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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V Qg-栅极电荷: 240 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 通道模式: Enhancement 商标名: PolarHV, HiPerFET 商标: IXYS 配置: Single 下降时间: 26 ns 正向跨导 - 最小值: 50 S 高度: 26.59 mm 长度: 20.29 mm Pd-功率耗散: 1.25 kW 上升时间: 29 ns 系列: IXFB100N50 工厂包装数量: 25 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET 典型关闭延迟时间: 110 ns 典型接通延迟时间: 36 ns 宽度: 5.31 mm 单位重量: 1.600 g
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