IRFR9024N IR/infineon P沟道场效应管8.8A55V

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IRFR9024N

产品型号	IRFR9024N
品牌	IR/infineon
封装	TO-252
价格	电询
描述	P沟道场效应管8.8A55V
查看资料	IRFR9024N
购买IRFR9024N

产品说明

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

优势

符合 RoHS

低 RDS(on)

具有业内先进的品质

动态的dv/dt额定值

快速开关

完全雪崩额定值

175°C 的工作温度

P 通道MOSFET

指标参数

Parametrics IRFR9024N

ID (@25°C) max -11.0 A ; -11.0 A

Moisture Sensitivity Level 1

Mounting SMD

Ptot max 38.0 W

Package DPAK (TO-252)

Polarity P

QG (typ @10V) 12.7 nC ; 12.7 nC

Qgd 6.7 nC

RDS (on) (@10V) max 175.0 mΩ ; 175.0 mΩ

RthJC max 3.3 K/W

Tj max 150.0 °C

VDS max -55.0 V

VGS(th) min max -3.0 V -2.0 V -4.0 V ; -3.0 V -2.0 V -4.0 V

VGS max 20.0 V

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