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IRFR9024N
产品型号IRFR9024N
品牌IR/infineon
封装TO-252
价格电询
描述P沟道场效应管8.8A55V
查看资料IRFR9024N

产品说明



-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装


优势


符合 RoHS


低 RDS(on)


具有业内先进的品质


动态的dv/dt额定值


快速开关


完全雪崩额定值


175°C 的工作温度


P 通道MOSFET



指标参数



Parametrics IRFR9024N



ID (@25°C)   max -11.0 A ; -11.0 A



Moisture Sensitivity Level 1



Mounting SMD



Ptot   max 38.0 W



Package DPAK (TO-252)



Polarity P



QG (typ @10V) 12.7 nC ; 12.7 nC



Qgd 6.7 nC



RDS (on) (@10V)   max 175.0 mΩ ; 175.0 mΩ



RthJC   max 3.3 K/W



Tj   max 150.0 °C



VDS   max -55.0 V



VGS(th)   min  max -3.0 V -2.0 V   -4.0 V ; -3.0 V -2.0 V   -4.0 V



VGS   max 20.0 V


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