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| 产品型号 | IRFR024NPBF | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-251 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管17A20V | | 查看资料 | IRFR024NPBF | |
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产品说明
55伏单个 N通道 红外MOSFET,采用 D-Pak公司封装
优势
宽SOA的平面单元结构
为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
硅优化应用开关低于100千赫
工业标准表面贴装电源组件
能被波浪焊接的
指标参数
参数IRFR024N
ID(@25)°C) 最大17.0 A;17.0安
湿度敏感度1级
贴片
Ptot最大38.0 W
DPAK包(TO-252)
极性N
QG(典型值@10V)13.3 nC;13.3数控
Qgd 5.1数控
RDS(开)(@10V)最大75.0米Ω ; 75.0米Ω
RthJC最大值3.3 K/W
Tj最大175.0°C
VDS最大55.0 V
VGS(th)最小值最大值3.0 V 2.0 V 4.0 V;3.0伏2.0伏4.0伏
VGS最大20.0 V
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| 下一页 尾页 页码:1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IR2156S | IR | SOP-14 | 镇流器控制IC |  |  |  | | | IR2156STRPBF | infineon | SOP14 | 镇流控制和半桥式驱动IC |  |  |  | | | IR2136STRPBF | IR/INFINEON | SOP-28 | 三相桥驱动电路 |  |  |  | | | IR2136S | IR/INFINEON | SOP28 | 高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 |  |  |  | | | RUH1H80R | Ruichip | TO-220 | 完全与IRL2910兼容 N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A |  |  |  | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 |  |  |  | | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V |  |  |  | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V |  |  |  | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 |  |  |  | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A |  |  |  | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V |  |  |  | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W |  |  |  | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 |  |  |  | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W |  |  |  | |
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