制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: IXYS
Id-连续漏极电流: 27 A
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227-4
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Source
下降时间: 40 ns
正向跨导 - 最小值: 28 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 80 ns
系列: IXFN27N80
工厂包装数量: 10
商标名: HiPerFET
典型关闭延迟时间: 75 ns
单位重量: 38 g