制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 23 A
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Rds On-漏源导通电阻: 420 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 27 ns
系列: IXFH23N80
工厂包装数量: 30
商标名: HyperFET
典型关闭延迟时间: 74 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 6.500 g