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AO7600S

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厂商AOS
封装SOT-363
批号10+
价格电询
起售数量3000个/盘
描述AOS系列场效应管
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产品说明
AO7600S的参数:
类别:分离式半导体产品
  家庭:FET - 阵列
  FET 型:N 和 P 沟道
  FET 特点:逻辑电平门
  漏极至源极电压(Vdss):20V
  电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:900mA, 600mA
  开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 900mA, 4.5V
  Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250?A
  闸电荷(Qg) @ Vgs:1.9nC @ 4.5V
  输入电容 (Ciss) @ Vds:120pF @ 10V
  功率 - 最大:300mW
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  包装:带卷 (TR)
场效应管主要参数:
直流参数:
  饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。
  夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
  开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数:
  低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
   极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数:
  漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。
  栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。
产 品 目 录 中 心
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