属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 5.7A
漏源电压（Vdss） 30V
栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻 26.5 mΩ @ 5.7A,10V
类型 N 沟道
最大功率耗散（Ta） 1.4W
查看类似商品 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
Package Configuration Bvds (v) Vgs (v) ID(A) 25℃ Vth（v）Max Rds（on） Max（mΩ）/25℃ @Vgs= EDS Protect
10V 4.5V 2.5V 1.8V
S0T23 Single N 30 ±12 5.5 1.45 32 35 52