描写：
该AO4611采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
特点：
N沟道
VDS=60V，ID=6A
RDS（ON）<的60mΩ@ VGS=10V P沟道 VDS =-60V，ID =-6A RDS（ON）<80mΩ@ VGS=-10V 高密度电池设计超低导通电阻 充分界定雪崩电压和电流 良好的稳定性和均匀性高的EAS 优秀的包装良好的散热 特殊工艺技术，高ESD能力 应用： H桥 逆变器