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DS1230Y-150➕ |  | 型号
DS1230Y-150 |  | 型号
RN8209C |
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产品说明
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: - 36.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 106 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 113.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
系列: SUD
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 38 S
下降时间: 100 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2000
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粤公网安备 44030402002388号