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![SVF10N65F](http://www.icdemi.com/CMIS/Center_photos/ecms2//202148111836_2_SVF10N65F_SVF10N65F.jpg) |
产品型号 | SVF10N65F | 品牌 | Silan士兰 | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管10A650V | 查看资料 | SVF10N65F | |
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产品说明
10A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF10N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 特点 10A,650V,RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力
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