IXDN75N120 IXYS IGBT晶体管75A1200V

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IXDN75N120

产品型号	IXDN75N120
品牌	IXYS
封装	DIP
价格	电询
描述	IGBT晶体管75A1200V
查看资料	IXDN75N120
购买IXDN75N120

产品说明

制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: IXYS
集电极连续电流: 150 A
集电极最大连续电流 Ic: 150 A
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
最小工作温度: - 40 C
系列: IXDN75N120
工厂包装数量: 10
宽度: 25.07 mm
单位重量: 38 g

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