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描述
30A100V70mΩ N沟道场效应管
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特征:
低固有电容。
优良的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的闸门费用:Qg=146.1nC(典型值)。
BVDSS=100V,ID= 30A
RDS(on):0.07Ω (最大值)@VG=10V
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