800V N 沟道 MOSFET
特征
□ 低固有电容
□ 出色的开关特性 TO-220F
□ 扩展安全工作区 G-Gate,D-Drain,S-Sourse
□ 无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC (Typ.)
□ BVDSS=800V,ID=10A
□ RDS(on) : 1.0 Ω (Max) @VG=10V
□ 100% 雪崩测试
800V N-Channel MOSFET
Features
□ Low Intrinsic Capacitances
□ Excellent Switching Characteristics TO‐220F
□ Extended Safe Operating Area G‐Gate,D‐Drain,S‐Sourse
□ Unrivalled Gate Charge :Qg= 44nC (Typ.)
□ BVDSS=800V,ID=10A
□ RDS(on) : 1.0 Ω (Max) @VG=10V
□ 100% Avalanche Tested
粤公网安备 44030402002388号