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90A 30V N沟道场效应管MOSFET
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产品说明
30V N沟道MOSFET
特点:
□ 低固有电容。
□ 出色的开关特性。
□ 扩展的安全操作区域。
□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=nC(典型值)。
□ BVDSS=30V,I D=
□ RDS(开):mΩ VG=10V时的(最大)
□ 100%雪崩测试
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