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WGD30P03
产品型号WGD30P03
品牌WG
封装TO-252
价格电询
描述30A 30V P沟道场效应管MOSFET
查看资料WGD30P03

产品说明


30V P沟道MOSFET

特点:

□ 低固有电容。

□ 出色的开关特性。

□ 扩展的安全操作区域。

□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=41nC(典型值)。

□ BVDSS=-30V,ID=-30A

□ RDS(开):17米Ω VG=-10V时的(最大值)

□ 100%雪崩测试



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