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30A 30V P沟道场效应管MOSFET
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30V P沟道MOSFET
特点:
□ 低固有电容。
□ 出色的开关特性。
□ 扩展的安全操作区域。
□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=41nC(典型值)。
□ BVDSS=-30V,ID=-30A
□ RDS(开):17米Ω VG=-10V时的(最大值)
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