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SUD50P10-43L-GE3
产品型号SUD50P10-43L-GE3
品牌VISHAY
封装TO-252
价格电询
描述P沟道场效应管37A100V
查看资料SUD50P10-43L-GE3

产品说明


制造商: Vishay 

产品种类: MOSFET 

RoHS: 详细信息 

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

晶体管极性: P-Channel 

通道数量: 1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 100 V 

Id-连续漏极电流: - 36.4 A 

Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 

Qg-栅极电荷: 106 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 113.6 W 

通道模式: Enhancement 

商标名: TrenchFET 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

配置: Single 

高度: 2.38 mm 

长度: 6.73 mm 

系列: SUD 

晶体管类型: 1 P-Channel 

宽度: 6.22 mm 

商标: Vishay Semiconductors 

正向跨导 - 最小值: 38 S 

下降时间: 100 ns 

产品类型: MOSFET 

上升时间: 20 ns 

工厂包装数量: 2000

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