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STW55NM60ND

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厂商ST
封装TO-247
批号10+
价格电询
起售数量30个/管,600个/盒
描述N沟道场效应管
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产品说明
STW55NM60ND参数:55A,600V,N沟道场效应管MOSFETS
制造商:  STMicroelectronics    
产品种类:  MOSFET    
RoHS:  符合RoHS 详细信息   
安装风格:  Through Hole    
封装 / 箱体:  TO-247-3    
通道数量:  1 Channel    
晶体管极性:  N-Channel    
Vds-漏源极击穿电压:  600 V    
Id-连续漏极电流:  51 A    
Rds On-漏源导通电阻:  60 mOhms    
Vgs - 栅极-源极电压:  25 V    
最大工作温度:  + 150 C    
封装:  Tube    
通道模式:  Enhancement    
商标:  STMicroelectronics   
配置:  Single   
下降时间:  96 ns   
最小工作温度:  - 55 C   
Pd-功率耗散:  350 W   
上升时间:  68 ns   
系列:  N-channel MDmesh   
工厂包装数量:  600   
晶体管类型:  1 N-Channel   
典型关闭延迟时间:  188 ns   
典型接通延迟时间:  33 ns  

产 品 目 录 中 心
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