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| 产品型号 | STW3N150 | | 品牌 | ST | | 封装 | TO-247 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V | | 查看资料 | STW3N150 | |
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产品说明
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):939pF @ 25V
功率 - 最大值:63W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3 整包
供应商器件封装:TO-3PF
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