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STP100N8F6
产品型号STP100N8F6
品牌ST
封装TO-220
价格电询
描述N沟道场效应管100A80V
查看资料STP100N8F6

产品说明


产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: 1 N-Channel
下降时间: 21 ns
Pd-功率耗散: 176 W
上升时间: 46 ns
系列: N-channel STripFET
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 103 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 330 mg

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