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产品型号 | NTR4170NT1G | 品牌 | ON | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | ON原装N沟道场效应管3.1A 30V | 查看资料 | NTR4170NT1G | |
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产品说明
NTR4170N:单N沟道功率MOSFET 30V,3.1A,55mΩ 这是一个30 V N沟道功率MOSFET。 特性 低rDS(on)以最小化传导损耗 低栅极电荷 低阈值水平 应用 便携式电源转换器 电池管理 负载/电源开关 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 3.9 A Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Qg-栅极电荷: 4.76 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.25 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 高度: 0.94 mm 长度: 2.9 mm 产品: MOSFET Small Signal 系列: NTR4170N 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: Power MOSFET 宽度: 1.3 mm 商标: ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值: 8 S 下降时间: 3.5 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 9.9 ns 工厂包装数量: 3000
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