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HW128V-5.0-3P-T |
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| 产品型号 | IRF3710STRL | | 品牌 | Infineon | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管57A100V | | 查看资料 | IRF3710STRL | |
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产品说明
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 57 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 86.7 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 200 W
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001551058
单位重量: 6 g
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| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V | | | | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 | | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W | | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | |
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