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P沟道MOS场效应管35A60V
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产品说明
描述:
该 P 沟道 MOSFET 采用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的出色 RDS(on)。它可用于多种应用。
特征:
1) VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON)<28mΩ@VGS=-10V
2) 低栅极电荷。
3) 提供绿色设备。
4) 用于超 RDS(ON) 的先进高单元密度沟槽技术。
5) 优秀的封装,良好的散热。
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