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 | 型号 AD8541ARTZ-REEL7 |  | 型号 LAN8770MT-E/PRAVAO |  | 型号 MIC5235-3.3YM5-TR |  | 型号 LM5008ASD/NOPB |  | 型号 ISO6762FQDWRQ1 |  | 型号 TSC2007IPWR |  | 型号 ADM6316DZ31ARJZ-R7 |  | 型号 TAJB106K025RNJ |
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产品型号 | IXDN75N120 | 品牌 | IXYS | 封装 | DIP | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT晶体管75A1200V | 查看资料 | IXDN75N120 | |
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产品说明
制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS 详细信息 配置: Single Dual Emitter 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.2 V 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-227B-4 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 商标: IXYS 集电极连续电流: 150 A 集电极最大连续电流 Ic: 150 A 高度: 9.6 mm 长度: 38.2 mm 最小工作温度: - 40 C 系列: IXDN75N120 工厂包装数量: 10 宽度: 25.07 mm 单位重量: 38 g
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