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 | 型号 AD8541ARTZ-REEL7 |  | 型号 LAN8770MT-E/PRAVAO |  | 型号 MIC5235-3.3YM5-TR |  | 型号 LM5008ASD/NOPB |  | 型号 ISO6762FQDWRQ1 |  | 型号 TSC2007IPWR |  | 型号 ADM6316DZ31ARJZ-R7 |  | 型号 TAJB106K025RNJ |
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产品型号 | GS3140 | 品牌 | GEM | 封装 | SOP-8 | 价格 | 电询 | 描述 | 30V双N+双P沟道场效应管MOSFET | 查看资料 | GS3140 | |
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产品说明
特点: 先进的沟槽工艺技术 ,超低导通电阻的高密度电池设计 , 表面贴装封装(无铅(Pb)和无卤素)
参数:
PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)
VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max
30V 6.5A 28 @ VGS = 10 V,ID=6.5A -30V -6.0A 42 @ VGS = -10V,ID=-6.0A
42 @ VGS = 4.5V,ID=5.0A 70 @ VGS = -4.5V,ID=-5A
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