NTR4170N：单N沟道功率MOSFET 30V，3.1A，55mΩ
这是一个30 V N沟道功率MOSFET。
特性
低rDS（on）以最小化传导损耗
低栅极电荷
低阈值水平
应用
便携式电源转换器
电池管理
负载/电源开关
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 4.76 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTR4170N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 8 S
下降时间: 3.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.9 ns
工厂包装数量: 3000