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IRF540NPBF |
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| 产品型号 | IRG4PH50UDPBF | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-247 | | 价格 | 电询 | | 描述 | IGBT管24A1200V | | 查看资料 | IRG4PH50UDPBF | |
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产品说明
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 3.7 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 45 A
高度: 20.3 mm
长度: 15.9 mm
工厂包装数量: 25
技术: Si
宽度: 5.3 mm
单位重量: 38 g
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| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W |  |  |  | | | IRG4PH50UDPBF | IR | TO-247 | IGBT管24A1200V | | | | | | IRLR2705TRPBF | IR | TO-252 | N沟道场效应管28A 55V | | | | | | IRLR2705TR | IR | TO-252 | N沟道场效应管 | | | | | | IRFR5305 | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TR | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRFR5305TRPBF | IR | TO-252 | P沟道场效应管 耐压:55V 电流:31A | | | | | | IRF3710S | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRL | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管57A100V | | | | | | IRF3710STRLPBF | IR | TO-263 | N沟道场效应管100V,23mO,57A,200W | | | | | | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | |
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