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产品型号
HYG060N08NS1D
品牌
HUAYI(华羿微)
封装
TO-252
价格
电询
描述
N沟道场效应管80A80V
查看资料
HYG060N08NS1D
购买HYG060N08NS1D
产品说明
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id) 80A
功率(Pd) 75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.7mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 48nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 2.96nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 60pF@25V
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