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| 产品型号 | FGH60N60SMD | | 品牌 | Fairchild | | 封装 | TO-247 | | 价格 | 电询 | | 描述 | IGBT带阻尼60A600V | | 查看资料 | FGH60N60SMD | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 600 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGH60N60SMD
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
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