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HYG022N10NS1TA
产品型号HYG022N10NS1TA
品牌HUAYI(华羿微)
封装SMD-TOLL
价格电询
描述N沟道场效应管100V 249A
查看资料HYG022N10NS1TA

产品说明



商品目录 场效应管(MOSFET)


类型 N沟道


漏源电压(Vdss) 100V


连续漏极电流(Id) 249A


功率(Pd) 312W


导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.2mΩ@10V,50A


阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.1V@250uA


栅极电荷(Qg@Vgs) 160.5nC@10V


输入电容(Ciss@Vds) 9.026nF@25V


反向传输电容(Crss@Vds) 186.6pF@25V


工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

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